차세대 연구개발라인에 3천912억원 투자

삼성전자는 20일 화성사업장내에 D램과 플래시메모리 개발 등을 위한 차세대 연구개발 라인을 건설하기로 하고 이를위해 3천912억원을 투자한다고 공시했다.

이 라인은 차세대 D램, 플래시메모리 개발과 마스크(Mask) 생산 등을 위해 사용될 예정이다.

삼성전자는 올해 반도체 부문에 대해 6조100억원의 투자를 집행할 예정이다.

삼성전자 관계자는 "이는 올해 예정된 반도체 부문 투자내용에 들어있는 것이며, 화성사업장에 차세대 반도체 개발을 위한 연구개발 건물을 건설하기 위한 것"이라고 말했다.