 | ||
| ▲ 삼성전자 개발한 70나노 512메가 DDR2 D램 | ||
삼성전자는 ‘01년 100나노‘, 02년 90나노, ‘03년 80나노에 이어 업계 처음으로 첨단 70나노 공정을 적용한 521M DDR2 D램 개발에 성공했다고 14일 밝혔다.
삼성전자가 이번에 개발한 70나노 512메가 DDR2 D램은 기존에 양산하고 있는 90나노 512메가 DDR2 제품 대비 생산성 2배 향상이 가능하며, 1.8볼트 저전압 동작으로 PC를 비롯한 컴퓨팅 시스템 뿐만 아니라 각종 모바일 기기에 최적의 성능을 구현할 것으로 기대되고 있다.
특히, 이번 제품은 2003년 6월 세계적 권위의 반도체학회인 ‘VLSI’에서 발표한 ‘MIM (Metal-Insulator-Metal) 캐패시터 기술’과 2005년 6월에 발표한 삼성전자 독자기술인 3차원 트랜지스터 제작 기술 ‘S-RCAT (Sphere shaped Recess Channel Array Transistor)’를 적용해 D램의 미세화 수준과 데이터 저장 특성을 혁신적으로 개선한 점도 특징이다.
이에 따라 기존 90나노와 80나노 공정 기술과 기술 연속성을 유지, 70나노 제품 양산 시 추가 투자를 대폭 줄일 수 있는 장점이 있어 업계 최고의 원가 경쟁력을 한층 강화해 나갈 수 있게 됐다.
또 삼성전자는 지난해 중순부터 90나노 공정을 적용한 D램 제품의 양산을 시작해 업계보다 1년 이상 앞선 가운데 이번 기술 개발을 통해 2세대 앞선 양산 기술력을 조기에 확보하게 됐다.
이와 관련, 삼성전자는 이번 70나노 D램 개발에 이어 차세대 D램 개발을 가속화해 D램 부문에서도 업계와의 기술 격차를 더욱 벌려 나간다는 전략이다.
게다가 삼성전자는 현재 양산 중인 90나노급 D램에 이어 80나노 D램을 올 하반기, 이번 70나노 512메가 D램은 내년 하반기부터 각각 양산에 돌입하는 한편 향후 1기가, 2기가 D램까지 70나노 적용을 확대, 대용량 D램 시장을 주도해 나갈 계획이다.
한편, 나노 기술은 통상 100나노 이하에서 물질을 조작하는 기술로, 삼성전자가 개발한 70나노 공정기술은 반도체 회로 선폭이 머리카락 두께의 약 1천400분의 1에 해당하는 초 미세 반도체 제조 기술이다.