삼성전자, 세계 최초 80나노 D램 양산

삼성전자가 세계 최초로 80나노 공정을 적용한 D램 양산을 시작, 최첨단 80나노 D램 시대를 열었다.   

삼성전자는 D램 공정기술로는 가장 미세한 80나노 기술을 512Mb DDR2 D램에 적용해 업계 처음으로 양산을 시작한다. 

▲ 80나노 512M DDR2

지난 2004년 9월 업계 첫 90나노 D램 양산을 시작한 삼성전자는 불과 1년만에 범용 D램, 그래픽D램, 모바일D램 등 D램 全 제품에 90나노 공정을 성공적으로 도입한 데 이어 이번에 80나노 D램 양산에 돌입함으로써 3세대 연속 최첨단 나노 D램 기술을 주도하는 쾌거를 이루게 됐다.

이번 80나노 D램 공정기술 (1나노 : 10억분의 1m, 성인 머리카락 굵기의 10만분의 1)은 삼성전자가 2003년 9월에 최초로 개발한 것으로 D램의 '집적도' 및 '데이터 보유특성'을 획기적으로 개선할 수 있는 삼성의 독자  기술 (3차원 트랜지스터 기술 : RCAT) 이 적용되었다.

80나노 공정을 적용하면, 현재 주력 공정인 90나노 공정 대비 50%  이상 생산성을 향상시킬 수 있으며, 90나노 공정과도 기술적인 연속성을 유지해 추가 투자를 최소화할 수 있는 장점이 있다.     

일반적으로 D램 제조공정에서 '80나노 기술' 이란 D램 Cell 間 데이터 이동 통로 간격의 절반이 80나노 라는 것을 의미하며, 공정기술이 미세화하면 할수록 생산량을 증가시킬 수 있기 때문에 업계는 미세 공정기술 개발 및 양산을 위한 사활을 건 경쟁이 계속 진행되고 있다.            

특히, 올해 들어 DDR2 수요가 확대되면서 가격 또한 안정화되어 가고 있는 추세여서 DDR2로 D램 시장 전환을 주도해 온 삼성전자는 한발 앞선 공정 미세화를 통해 DDR3 등 차세대 D램 시장에서도 시장 지배력은 확고히 할 것으로 예측된다.   
삼성전자 관계자는 "80나노 D램의 조기 양산으로 원가경쟁력과 선두 업체로서의 프리미엄은 더욱 강화될 것으로 내다보고 있다"고 말했다.          

삼성전자는 80나노 공정을 주력 D램 제품으로 부상한 512Mb DDR2 D램에 우선 적용하고, 향후 타 D램 제품군으로 빠르게 확대 적용해 나간다는 방침이다. 

한편, 삼성전자는 이미 70나노 D램 공정기술도 지난해에 개발 완료했으며, 올 하반기 쯤 양산을 시작할 계획이다.

3차원 트랜지스터 기술(RCAT: Recess Channel Array Transistor) : 한 개의 트랜지스터와 한 개의 캐패시터로 구성된 D램 Cell 中 트랜지스터를 3차원 방식으로 제작, 면적을 최소화해 집적도를 더욱 높일 수 있는 신개념의 기술을 말한다.