삼성전자, 50나노급 1기가 DDR2 D램 인텔 인증 획득

삼성전자는 19일 지난 해 10월 세계 최초로 개발한 바 있는 50나노급 1기가 DDR2 D램에 대한 인텔 인증을 획득했다고 밝혔다.

이는 50나노급 D램으로는 업계 최초로 인증을 받음으로써, 특히 DDR2 제품 중 최고속인 800Mbps(초당 800Mb 데이터 처리) 제품의 양산을 의미하는 것으로 평가받고 있다.

삼성전자는 올해 3월부터 업계 최초로 60나노급 1기가 DDR2 D램 양산을 개시했으며, 이번에 50나노급 D램 최초 인증을 통해 삼성의 차세대 D램 기술 수준의 우위를 확보하게 됐다고 밝혔다.

삼성전자는 50나노급 1기가 DDR2 D램이 현재 주력 양산 공정인 80나노와 비교해 2배, 60나노급 1기가 DDR2 D램보다 50% 이상 생산성 향상이 가능해 원가 경쟁력이 강화될 것으로 기대하고 있다.

삼성전자 관계자는 “윈도우 비스타가 일반 사용자 PC와 기업용 PC까지 본격 채용되면서 메인 메모리 용량의 증가와 고성능화가 가속화될 것”이라며 “주력 제품이 512메가(Mb)에서 1기가(Gb)로 급격히 전환됨은 물론, DDR3 D램 채용 D램 시장에 많은 변화가 있을 것”으로 예상했다.

한편, 삼성전자는 인텔 인증을 완료한 삼성전자의 50나노급 D램 기술은 2008년 상반기부터 양산할 예정이며 등 전체 D램 제품군으로 확대 적용하는 한편 1기가 D램 시장에서 절대 경쟁 우위를 지속해 나간다는 계획이다.