삼성전자가 지난달 세계 최초로 30나노급 공정을 적용한 2Gb(기가바이트) DDR3 D램을 개발하며 경쟁사와의 격차를 더욱 크게 벌렸다.
삼성전자는 이번에 개발한 30나노급 D램의 경우, 40나노급 D램을 개발한 뒤 1년 만에 차세대 공정을 적용해 개발한 것으로 올해 하반기부터 본격적으로 양산에 들어갈 예정이라고 1일 밝혔다.
그동안 업계에서는 40나노급 D램 개발까지가 한계라고 여겨왔으나 삼성전자는 1년 만에 한계를 극복하고 30나노급 공정을 개발해 냈다.
30나노급 D램은 지난해 7월 삼성전자가 세계 최초로 양산에 들어간 40나노급 D램에 비해 약 60% 정도 생산성을 증가시킬 수 있고, 50~60나노급 D램에 비해서는 원가 경쟁력을 2배 이상 확보할 수 있다.
또 50나노급 D램과 비교해 소비전력을 약 30% 정도 절감할 수 있으며, 40나노급 D램에 비해서는 15% 이상 소비전력을 줄일 수 있다.
이와 함께 30나노급 2Gb DDR3 D램에 혁신적인 설계 기술을 적용해 업계 최고의 데이터 처리 속도를 구현했다.
삼성전자는 서버 솔루션으로 동작전압 1.35V에서 1.6Gbps(초당 1.6기가바이트)의 동작 속도를 구현하고, PC 솔루션으로는 업계 최초로 1.86Gbps까지 공급할 예정이다.
조수인 삼성전자 반도체사업부 메모리담당 사장은 “이번에 30나노급 2Gb DDR3 제품을 성공적으로 개발함으로써 제조 경쟁력의 격차를 1년 이상, 한 걸음 더 벌려 놓았다”며 “이를 발판으로 세계 D램 시장의 성장과 함께 시장점유율을 지속적으로 확대해 나갈 것”이라고 밝혔다.
한편 삼성전자는 올해 하반기 30나노급 D램 양산을 계기로 전력소비가 큰 서버는 물론 노트북까지 적극적으로 ‘그린 메모리’ 판매 비중을 확대해 나갈 방침이다.
또 향후에도 업계 최고의 기술력을 발휘해 차세대 D램을 선행 개발하고, 대용량 저전력 제품으로 고부가가치 D램 시장을 적극 확대하는 한편 고객의 수요에 적극적으로 대응해 D램 시장 성장을 견인해 나갈 계획이다.