삼성전자가 세계 최초로 20나노급 낸드플래시 메모리반도체 양산에 돌입했다.
삼성전자는 19일 세계 최초로 20나노급 공정으로 32GB(기가바이트) Multi-Level Cell(MLC) 낸드플래시를 이 달부터 양산하기 시작했다고 밝혔다.
삼성전자는 20나노급 MLC 낸드플래시의 전용 컨트롤러도 함께 개발해 최적의 성능을 구현했다는 평가다.
20나노급 MLC 낸드플래시는 30나노급 MLC 낸드플래시보다 생산성이 약 50% 높은 것이 특징이고, 전용 컨트롤러 개발을 통해 30나노급 낸드 제품과 동등한 수준의 성능을 보이고 있다는 설명이다.
삼성전자 20나노급 MLC 낸드플래시는 ‘SD 카드’ 제품으로 먼저 출시됐다. 삼성전자는 20나노급 MLC 낸드 제품의 생산 비중을 지속 늘려 4GB부터 64GB 용량의 제품까지 라인업을 운영할 예정이다.
특히 삼성전자의 20나노급 낸드플래시 전용 컨트롤러를 탑재한 8GB 이상 용량의 ‘SD 카드’ 제품은 메모리 카드 중에서 최고 쓰기 속도인 초당 10MB 이상을 구현했다.
조수인 삼성전자 반도체사업부 메모리담당 사장은 “생산성과 성능을 동시에 높인 20나노급 MLC 낸드플래시를 양산해 고성능 메모리 카드 시장을 선점하고 플래시 메모리 사업 경쟁력을 더욱 강화해 나갈 계획”이라고 밝혔다.
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